სადღეისოდ დიდია ინტერესი გალიუმ-არსენიდის (GaAs) მიმართ, იმის გამო, რომ მის საფუძველზე შეიძლება შეიქმნას ახალი ნახევარგამტარული ხელსაწყოები და ელექტრო­მექანიკური სისტემები. გალიუმ-არსენიდზე მუშაობის დაწყების წინ დაისვა ამოცანა, რომ შექმნილიყო ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრების სისტემა, რომელიც უფრო სრულად დაახასიათებდა ნახევარგამტარული მასალების გამოყენე­ბას კონკრეტული ტიპის ხელსაწყოების შესაქმნელად.

კვლევებში ნაჩვენებია, რომ ერთგვაროვან მაგნიტურ ველში დაბალ ტემპერა­ტურებზე, ელექტრული გარღვევის რეჟიმში, ვოლტ-ამპერული მახასიათებლის პირდა­პირი შტოს S-ის და N-ის ფორმის მსგავს უბნებზე, წარმოიშვება დაბალსიხში­რული რხევები. რხევების სიხშირე, ამპლიტუდა და  მილევადობა დამოკიდებულია ნიმუშში ღრმა ცენტრებისა და ვაკანსიების კონცენტრაციაზე და ნიმუშზე მოდებული  ძაბვის სიდიდეზე.

  პრეზენტაცია